本發明涉及殘余應力測量技術,為一種測量SiCf/Ti基復合材料界面微觀殘余應力的方法,首先確定原始SiC纖維C涂層中C原子拉曼吸收峰波數(v)隨所受應力σ變化的線性關系,并標定出斜率k,然后分別測量SiCf/Ti基復合材料中受到殘余應力作用和殘余應力釋放狀態下的C涂層中C原子的拉曼吸收峰波數變化Δv,最后根據波數變化和已標定的斜率計算出纖維表面微觀區域的殘余應力。該方法的優點是可以直接測量到纖維表面的微觀區域,并且分辨率較高,測試結果更準確,操作簡單等優點。
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