本發明涉及一種磁控濺射法制備GaN/導電基體復合材料的方法,該復合材料為GaN,具體制備方法為:將純度為99.99%GaN靶材和金屬襯底分別安置于濺射腔中,靶材與襯底距離D=7cm;對腔體進行抽真空,V≥1×10-7Torr;對襯底進行加熱,并將其溫度保持在25~700℃;利用磁控濺射對靶材進行轟擊,在金屬襯底上沉積生長GaN。所制備GaN直接生長在導電基體上,與基體結合緊密;所制備樣品中GaN為均勻的納米顆粒,平均尺寸在40nm;所制備GaN可作為鋰離子電池負極材料,具有較高充、放電容量和較低的充、放電平臺。
聲明:
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