本發明公開了一種制備高硅含量(40-70wt.%Si)硅鋁復合材料的方法。采用熔鑄法制備低硅鋁合金坯料,Si含量為20-30wt.%;坯料加熱至鋁硅二元合金液固兩相溫度區(共晶溫度以上5~30℃),保溫一定時間獲得半固態漿料6;漿料6置于帶有分離機構5的模具型腔8中,通過壓頭9施加一定壓力,使液相通過分離機構5流入型腔3中,留在型腔8中的剩余富硅相半固態漿料在壓力作用下凝固,獲得含(40-70wt.%)Si的高硅鋁復合材料。該工藝方法流程短、成本低,制備的高硅鋁材料具有高致密度、輕質、低膨脹、高導熱、良好的力學性能等特點,適用于高性能電子封裝殼體制作。
聲明:
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