本發明公開了一種單一粒度中高質量分數SiCp/Al復合材料的制備工藝與裝置。其主要由碳化硅顆粒預處理步驟、鋁基金屬液除氣除渣步驟和碳化硅顆粒添加步驟組成,其中:所述碳化硅顆粒的預處理步驟依次由HF酸酸洗步驟、去離子水清洗步驟、烘干步驟、高溫氧化步驟和研磨步驟組成;所述的碳化硅顆粒添加步驟為:首先將經除氣除渣步驟處理過的鋁基金屬液在氮氣保護氣氛下冷卻至半固態狀態,然后在攪拌作用下添加經預處理步驟處理過的碳化硅顆粒,碳化硅顆粒添加時,放置于保溫爐中在300~350℃之間預熱保溫,添加完畢后接著在氮氣保護氣氛下繼續攪拌,最后澆注成型。本發明能制備出濃度高于40%的SiCp/Al復合材料,而且重現性好。
聲明:
“單一粒度中高質量分數SiCp/Al復合材料的制備方法和碳化硅攪拌添加裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)