本發明屬于光通訊、光電子技術領域,特別涉及一種層狀插層改性復合材料及其實現負折射的方法。本發明通過直接反應法、離子交換法、分子嵌入法、剝離重組法、納米粒子直接插層法、納米粒子原位生成法等插層方法向層狀材料單晶材料中插入金屬納米顆粒等,從而增強層狀單晶材料的各向異性,使層狀復合材料的介電矩陣為非正定矩陣而實現負折射。本發明從電磁波基本理論出發,提出了一種全新的實現電磁波負折射的方法,可以使工作頻率提高到光頻,同時簡化了制備工藝,降低了成本,具有重要的學術意義和應用價值。
聲明:
“層狀插層改性復合材料及其實現負折射的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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