本發明公開了一種摻氮晶型金剛石半導體材料,屬于金剛石半導體領域。其中,所述摻氮晶型金剛石半導體復合材料包括以高溫高壓法制得的IIa型金剛石晶體作為襯底材料,以CH4、Ar和NH3作為氣體源,在襯底材料上生長出的摻氮晶型金剛石。本發明進一步公開了制備所述摻氮晶型金剛石半導體材料的方法。利用本發明制備的摻氮晶型金剛石半導體材料,具有較好的電學性能和半導體性能,可以推動金剛石半導體器件的發展,也將有助于金剛石基半導體器件的產業化發展。
聲明:
“晶型金剛石摻氮半導體復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)