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    貴金屬摻雜的半導體復合材料的制備方法

    1114   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 16:22:02
    發明涉及半導體復合材料技術領域,特別涉及一種貴金屬摻雜的半導體復合材料的制備方法。其步驟包括:將平面導電材準備;在非離子型高分子化合物中加入無水乙醇,攪拌,溶液中通氧10?20分鐘;溶液中加入金屬氯化物,攪拌溶解;加入貴金屬化合物溶液和非離子型表面活性劑,攪拌并緩慢加入堿性溶劑和水,形成溶膠;制備好的溶膠滴平面導電材料上,旋涂,使其表面覆蓋;然后300?600℃煅燒1?3小時,冷卻、水洗、吹干即可。該表現出極好的表面性質,薄膜均勻致密且穩定性良好,便于進行下一步材料的組裝。
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