本發明涉及一種溶膠凝膠法原位合成SiC納米線改性碳/碳復合材料預制體的方法,利用Sol-gel法首先獲得氧化硅溶膠凝膠體系,具有多孔的微觀結構,較大程度上增加了反應接觸面積,而且生長的納米線具有一定方向性,有利于提高材料力學性能。將其浸漬于2D碳氈中,獲得生成SiC納米線的硅源分散均勻,分解溫度低,所生長的納米線可穩定均勻地分散于碳氈中,能夠大大提高致密化效率。等溫CVI工藝沉積天然氣提供生成SiC納米線的碳源與硅源反應生成納米線同時有一部分形成熱解碳包覆在納米線表面,有效避免了在后續致密化獲得高密度C/C復合材料過程中納米線的脫落、長大及斷裂。
聲明:
“溶膠凝膠法原位合成SiC納米線改性碳/碳復合材料預制體的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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