本發明公開了一種碳納米復合材料的制備方法,屬于納米材料的研制領域。該方法利用CVD方法制備單層或多層石墨烯;然后將石墨烯轉移到目標襯底上;在石墨烯與目標襯底的結構上面涂覆光刻膠,用電感耦合等離子體方法轟擊,使光刻膠變性,然后泡掉殘余的光刻膠;將經過轟擊的光刻膠、石墨烯和目標襯底一并進行高溫處理,使光刻膠碳化,形成碳納米復合材料。本發明所得到的密集分布的有較高的導電性能的大比面積的碳納米材料的厚度大概為50~200nm,各個碳納米線條的直徑大概為十幾納米,長度為數十納米。
聲明:
“碳納米復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)