本發明公開了一種C/C復合材料表面制備SiC納米線和納米帶的方法,將打磨拋光干燥后的C/C復合材料置于沉積爐中,低壓2kPa下通電升溫至預定溫度后,向裝有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入載氣氫氣,將反應氣源帶入爐堂內進行反應。沉積結束后隨爐冷卻至室溫,即可得到大量高純SiC納米線和納米帶;本發明SiC納米線和納米帶合成工藝簡單,不需要預先合成工藝;沉積溫度較低,降低了能耗和制備成本;制備的SiC納米線和納米帶純度較高;可通過工藝參數的調節實現SiC納米線和納米帶的可控生長,易于實現工業生產,解決了現有技術中SiC納米線和納米帶制備工藝較為復雜、合成溫度高、能耗大、成本高、產物難以控制的問題。
聲明:
“C/C復合材料表面SiC納米線和納米帶的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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