本發明公開了一種SnO2/MoS2二維大孔復合材料薄膜、制備方法及其應用,屬于傳感器材料制備領域。本發明的制備方法,將PS模板浸泡使得SnCl4·5H2O溶液填充PS微球之間的空隙,之后進行退火,使得PS球氣化,形成SnO2大孔薄膜;之后進行水熱反應,在保持規則排列的SnO2大孔結構的基礎上,引進MoS2納米片,通過調控,使得PS模板→SnO2大孔薄膜→SnO2/MoS2大孔薄膜。本發明的SnO2/MoS2二維大孔復合材料薄膜,孔狀結構有利于氣體排出,納米片的復合使得薄膜比表面積增大,表面活性位點增高,從而使得氣敏性能大大提高,氣敏性能更加優異,對二氧化氮氣體有良好的氣敏響應。
聲明:
“SnO2/MoS2二維大孔復合材料薄膜、制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)