本發明公開了一種在柔性碳基底生長垂直二硫化鎢的方法、二硫化鎢?碳復合材料及應用。所述方法包括:在碳納米管薄膜上生長形成碳鍍層,得到碳鍍層/碳納米管復合薄膜;在其表面生長三氧化鎢,得到三氧化鎢/碳鍍層/碳納米管復合薄膜;再進行硫化處理,使形成的二硫化鎢納米片垂直生長于碳鍍層/碳納米管復合薄膜上,制得二硫化鎢?碳復合材料。本發明通過化學氣相沉積方法,在易于滑移變形的CNT薄膜表面沉積碳鍍層,可阻止CNTs的滑移,改善基底的穩定性,進而有效實現二硫化鎢納米片的垂直生長,制備過程簡單,易于控制;并且,制備得到的二硫化鎢納米片垂直率高,在很大程度上保證較多的活性邊緣暴露,在電化學領域應用前景廣泛。
聲明:
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