本發明公開了一種復合構件(1a),包含由具有與鎂或鎂合金結合的SiC的復合材料制成的襯底(2),并具有不小于0.01×10-3且不大于10×10-3的翹曲度,所述翹曲度是指lmax/Dmax,其中lmax是沿所述復合構件的最長邊測得的所述復合構件的一個表面的表面位移的最大值與最小值之差,且Dmax是所述最長邊的長度。由此,本發明提供能夠有效地將熱散逸到安裝對象的復合構件、使用所述復合構件的散熱構件以及具有所述散熱構件的半導體裝置。
聲明:
“包含由復合材料制成的襯底的復合構件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)