本發明公開了一種氮摻雜石墨烯量子點/多孔碳納米片陣列/碳布復合材料電極、其應用及其制備方法,以生長在碳布上的二維Co?MOF作為模板,通過高溫熱裂解制備出多孔碳納米片陣列,采用堿催化水相分子融合法制備高濃度氮摻雜石墨烯量子點,通過電沉積將N?GQDs負載到Co?MOF衍生的多孔碳納米片陣列上,構筑氮摻雜石墨烯量子點/多孔碳納米片陣列/碳布復合電極,形成自支撐結構,主要由碳元素組成,是綠色、無毒且環境友好的電極材料。本粉末方法過程簡單,所制備的N?GQD/CNS/CC復合電極具有高電容性能,本發明方法制備的N?GQD/CNS/CC電極在新能源納米器件技術領域展示出誘人的應用前景。
聲明:
“氮摻雜石墨烯量子點/多孔碳納米片陣列/碳布復合材料電極、其應用及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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