本發明涉及一種硅碳氮吸波陶瓷基復合材料的制備方法,經CVD/CVI技術,在適合的溫度范圍內,采用SiCl4、SiHCl3或其它氯硅化物、硅烷作為硅源,CH4、C3H6、C2H2或其它烷烴、烯烴、炔烴作為碳源,NH3或N2作為氮源,H2作為載氣與反應氣體,Ar作為稀釋氣體,在基底材料上原位合成SiCN,獲得了均勻致密、無雜質、組分和吸波性能可設計的SiCN基體和涂層。本發明克服現有技術制備CFCC-SiC吸波性能不高的不足,同時便于實現所制備的吸波基體的組分、滲透性、厚度以及吸波性能的控制。
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