本發明公開了一種高吸收、寬光譜黑硅復合材料及其制備方法。包括對硅襯底進行黑硅化處理,得到黑硅,所述黑硅表面具有尖錐陣列;向黑硅表面濺射沉積TiN納米顆粒。本發明利用“黑硅化”在傳統硅表面形成均勻、大面積尖錐狀黑硅結構;再利用“黑硅表面沉積TiN納米顆?!?,使得黑硅表面微結構更加復雜,增加了光在黑硅尖錐間的反射次數,材料吸收率獲得提升;同時通過磁控濺射,在尖錐狀黑硅表面沉積TiN納米顆粒,利用等離激元共振效應實現可見到紅外波段光譜的拓寬。
聲明:
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