本發明提供了一種層結構復合材料及其制備方法,由于采用表面化學的方式進行了界面處理,提升了材料性能的同時避免了雜質引起的功能缺陷,具體的制備方法為:將拋光后的GaN襯底進行清洗處理;用酸清除氮化鎵表面的原生氧化物;在原子層沉積儀中,以惰性氣體為載氣體,襯底溫度為250?350℃,用三甲基鋁處理襯底其中一個表面;在原子層沉積儀中以惰性氣體為載氣體,利用鋁源和氧源,襯底溫度為250?350℃,沉積氧化鋁介質層;在氧化鋁介質層鍍上金屬膜。
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