本實用新型公開了一種鋁碳化硅復合材料制備的IGBT基板,所述IGBT基板包括焊接面和散熱面,所述焊接面為平面結構,所述散熱面為拱形結構,所述焊接面和散熱面均為鋁合金層(2),所述焊接面和散熱面之間包括AlSiC層(1),所述焊接面、AlSiC層(1)和散熱面為一體結構;所述IGBT基板的兩側還包括半導體制冷片(5),所述半導體制冷片(5)的制冷端與所述IGBT基板的兩側貼合。本實用新型所述IGBT基板具有較高的熱導率和與IGBT封裝材料相匹配的熱膨脹系數,散熱速度快。
聲明:
“鋁碳化硅復合材料制備的IGBT基板” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)