本發明公開了一種具有金屬緩沖層的CZT薄膜復合材料及其制備方法,所述碲鋅鎘薄膜采用襯底?緩沖層?半導體的三明治結構的組合形式,依次由襯底、金屬緩沖層和碲鋅鎘三部分進行層疊組裝結合的結構。本發明在傳統碲鋅鎘薄膜生長過程中加入金屬緩沖層。與傳統生長方式相比,本發明所采用的金屬緩沖層技術,得到的薄膜生長速度更快,薄膜晶粒尺寸更大,薄膜晶體質量更高。本發明制備的薄膜材料對于公共安全、軍事、核工業、核醫學、科學研究以及航空航天等領域安全監控、輻射防護方面具有重要意義和應用前景。
聲明:
“具有金屬緩沖層的CZT薄膜復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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