本發明涉及納米材料技術領域,提供了一種氮化硼納米片@碳化硅納米線異質填料的制備方法。本發明通過原位生長法在氮化硼納米片上原位生長碳化硅納米線,構筑制備“鳥巢狀”異質結構,這種特殊形貌的異質結構使其在作為導熱填料使用時,更易在環氧樹脂基體中搭接形成高效的導熱通路,可以在添加少量填料的情況下提高環氧樹脂的導熱性能;同時導熱填料之間基于化學鍵合作用也有效避免更多界面熱障的引入和導熱填料團聚現象的發生,可以進一步提高環氧樹脂的導熱性能。實驗結果表明,本發明提供的方法制備的氮化硼納米片@碳化硅納米線異質填料與環氧樹脂復合得到的導熱復合材料的熱導率高達1.17W/mK,能夠大幅度地提高環氧樹脂的熱導率。
聲明:
“氮化硼納米片@碳化硅納米線異質填料及制備方法和環氧樹脂導熱復合材料及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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