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    原位合成A1N/A1電子封裝材料的方法

    1026   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 16:50:21
    本發明公開了一種原位合成AlN/Al電子封裝材料的方法,將一定摩爾比的Al粉和NH4Cl均勻混合后,在20~30MPa壓力下模壓成型,再在200~400MPa壓力下冷等靜壓成型,將干壓成型后的生坯放入熱壓燒結爐中,預抽真空后關閉熱壓燒結爐的真空閥,通入N2使爐內氣壓回升到常壓,在700~1000℃的溫度下燒結制成AlN/Al復合材料。本發明的優點為:本發明所制備的AlN/Al復合材料中AlN為原位合成,與金屬Al具有很好的界面結合;原料來源廣、價格便宜,AlN的體積分數可以通過NH4Cl的添加量來控制;所制備的AlN/Al復合材料的熱導率高,熱膨脹系數與Si接近,完全能夠滿足電子封裝的要求。
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