本發明公開了一種合成Ag/Ag2S/CdS異質結的多級進樣微流控芯片的制備方法。本發明針對現有合成納米材料技術的不足,公開了一種合成Ag/Ag2S/CdS異質結的多級進樣微流控芯片,其中設置有CdS微液滴形成區,CdS納米顆?;旌戏磻獏^,Ag2S/CdS微液滴形成區,Ag2S/CdS異質結混合反應區,Ag/Ag2S/CdS形成區,實現了微流控芯片對納米復合材料合成的有效控制。本發明設計的多級進樣微流控芯片結構優化,操作方便,實現了分步進樣,能夠合成分散性好,尺寸大小均勻的納米復合材料。另外,多級進樣可以實現不同濃度,不同比例的進樣,從而實現不同尺寸和性能納米復合材料的成功制備。
聲明:
“合成Ag/Ag2S/CdS異質結的多級進樣微流控芯片的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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