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    非晶SiO2包覆SiC同軸納米電纜的合成方法

    965   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 16:52:17
    本發明公開了一種非晶SiO2包覆SiC同軸納米電纜的合成方法,(一)取一定量的原料Si粉和SiO2粉進行球磨處理:(二)然后取經球磨處理并烘干的Si粉和SiO2粉,按Si∶SiO2=1∶1.2~1.5放入瑪瑙研缽中研磨,使其充分混合;(三)對C/C復合材料基片進行加催化劑處理,并將經研磨混合后的Si粉和SiO2粉混合粉體、C/C復合材料基片及碳布放入石墨反應室中;(四)再將此石墨反應室放入石墨加熱體的立式真空爐中;(五)將爐溫升至900~1000℃,抽真空使爐內壓力為400torr左右;(六)再將爐溫升至1200~1300℃時,通C3H6氣體5~10分鐘后,再保溫10~20分鐘,關電源自然冷卻至室溫。由于采用了氣相化學反應法,所以合成工藝簡單,合成所需溫度較低,并有利于規?;a。
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    “非晶SiO2包覆SiC同軸納米電纜的合成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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