本發明公開一種納米金屬氧化物及其制備方法、量子點發光二極管,其中,所述納米金屬氧化物的制備方法包括步驟:提供一種復合材料,所述復合材料包括PAMAM樹形分子以及結合在所述PAMAM樹形分子腔體內的金屬離子;將所述復合材料和初始納米金屬氧化物在極性溶劑中混合,使復合材料中的金屬離子電離后與初始納米金屬氧化物表面的氧空位配位結合,得到所述納米金屬氧化物。通過本發明方法能夠制得表面缺陷較少的納米金屬氧化物,將所述納米金屬氧化物作為量子點發光二極管的電子傳輸層材料,可以調節量子點發光二極管的電子遷移率,從而使其電子空穴注入速率達到平衡,進而提高其發光效率。
聲明:
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