本發明公開一種納米金屬氧化物及其制備方法、量子點發光二極管,其中,納米金屬氧化物的制備方法包括步驟:提供一種復合材料,所述復合材料包括PAMAM樹形分子以及結合在所述PAMAM樹形分子腔體內的金屬離子;將所述復合材料加入到納米金屬氧化物生長反應體系中混合,得到所述納米金屬氧化物。本發明能夠實現將金屬離子均一地摻雜到納米金屬氧化物中,制得缺陷較少、質量較佳的納米金屬氧化物,將所述納米金屬氧化物作為量子點發光二極管的電子傳輸層材料,可以調節量子點發光二極管的電子遷移率,從而使其電子空穴注入速率達到平衡,進而提高其發光效率。
聲明:
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