一種相變材料的制備方法,包括:提供半導體襯底,在所述半導體襯底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料層,其中0.1≤x≤0.9;在所述Si-SbxTe1-x復合材料的結晶溫度之上,對所述Si-SbxTe1-x執行第一次退火工藝,使得其中的非晶Si和SbxTe1-x晶體形成分相;將退火后分相的非晶Si與SbxTe1-x的復合材料置于氫氣氛中執行第二次退火工藝,使其中的非晶Si轉變為微晶Si以形成微晶Si-SbxTe1-x復合相變材料;對所述微晶Si-SbxTe1-x復合相變材料執行加熱退火脫氫工藝。相較于現有技術,本發明制備的是微晶Si-SbxTe1-x復合相變材料,微晶態的Si晶粒尺寸在3納米至20納米左右,缺陷比非晶態Si少,能有效抑制氧化,阻礙Si與SbxTe1-x的相互擴散,具有更穩定的特性。
聲明:
“相變材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)