本發明公開了一種柔性憶阻器件及其制備方法,柔性憶阻器件,包括由上到下依次設置的頂電極、阻變層、底電極和襯底,阻變層為淀粉樣多肽納米纖維負載的金納米顆粒材料層。制備步驟包括:淀粉樣多肽納米纖維負載的金納米顆粒復合材料的制備、底電極濺射、阻變層滴鑄和頂電極濺射。本發明通過在底電極之上覆蓋一層淀粉樣多肽納米纖維—金納米顆粒復合材料膜構成阻變層,使阻變層及整個憶阻器件的導電性和穩定性,在不同的電流限制情況下,開啟后的阻值量級不同,具有用于存算一體架構的潛力。且本發明的制備方法簡單、高效,成本低,可廣泛用于工業生產。
聲明:
“柔性憶阻器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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