本發明涉及一種含磷化合物改性MoS2納米片層的制備方法及其應用,屬于聚合物納米復合材料領域。本發明的改性方法主要是:通過溶劑熱法用插層劑對層狀二硫化鉬進行插層處理后離心、洗滌并干燥,得到插層二硫化鉬;將插層二硫化鉬水解,得到二硫化鉬懸浮液;將含磷化合物加入二硫化鉬懸浮液中反應,將得到的產物離心、洗滌并干燥,即獲得含磷化合物改性的二硫化鉬納米片層。本發明的改性方法工藝步驟簡單,可操作性強,制備成本低;采用含磷化合物對層狀二硫化鉬進行表面改性,增大了其層間距,阻止了其在聚合物基體中重新團聚堆積,提高了分散性;可作為阻燃劑應用于聚合物復合材料中。
聲明:
“含磷化合物改性MoS2納米片層的制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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