本發明公開了一種基于GaAsBi-Ga(In)AsN材料的交錯型異質結隧穿場效應晶體管,解決現有III-V族材料制備的隧穿場效應晶體管性能差的問題。其包括襯底(1)、漏極(2)、溝道(3)、源極(4)、氧化層(5)和柵電極(6)。溝道和漏極均采用Bi組分為(0,0.09]的GaAsBi復合材料;源極采用N組分為(0.0,0.1]的Ga(In)AsN復合材料;源極、溝道、漏極依次豎直分布,氧化層與柵電極包裹在溝道外部。本發明通過源極Ga(In)AsN與溝道GaAsBi的相互接觸形成交錯型異質隧穿結,減小了隧穿勢壘高度,增大了隧穿幾率和隧穿電流,提升了器件的整體性能,可用于制作大規模集成電路。
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