本發明提供一種3D石墨烯上生長Ni?Co?Mn納米針的方法,包括以下步驟:對泡沫鎳進行預處理;生長有3D石墨烯的泡沫鎳樣品;進行反應生成Ni?Co?Mn納米針;在管式爐中在N2保護下進行退火,然后隨爐冷卻得到在3D石墨烯上生長的Ni?Co?Mn納米針。本發明制備出的復合材料為有序納米陣列結構電極,通過具有高效的導電性、離子擴散通道和穩定性的石墨烯網絡與Ni?Co?Mn三元金屬組裝在一起,提高了電子傳輸速率,同時為離子嵌入、脫出時造成材料體積的崩潰提供了緩沖作用,相比于傳統工藝制備的電極具有明顯的動力學優勢,獲得具備高比電容、高能量密度和長循環壽命的超級電容器電極材料,滿足了實際使用需求。
聲明:
“3D石墨烯上生長Ni-Co-Mn納米針的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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