本發明涉及一種定向排列碳納米管與碳包覆鈷納米顆粒復合物及其制備方法。首先利用磁控濺射的方法,在Si基底上沉積Co薄膜,然后在等離子體增強化學氣相沉積設備升溫過程中將Co薄膜氧化,形成尺寸很小的氧化鈷納米顆粒,然后通入工作氣體H2+CH4,進行沉積生長,最后獲得定向排列碳納米管與碳包覆鈷納米顆粒復合材料。該復合物碳納米管定向垂直于硅基底,碳包覆鈷納米顆粒依附于定向排列碳納米管的頂部表面,所述的碳納米管是多壁碳納米管,其中鈷顆粒為單晶鈷。本發明的方法簡單、一步完成,容易控制,便于工業化生產,制備出來的復合材料,在高密度磁記錄材料,吸波、生物醫藥、電磁屏蔽、傳感器、催化材料等領域具有良好的應用前景。
聲明:
“定向排列碳納米管與碳包覆鈷納米顆粒復合物及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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