本發明公開了一種全熔高效多晶硅鑄錠用籽晶,所述的籽晶為表面局部包覆有氮化硅涂層的球狀SiC-SiO2復合顆粒。本發明還公開了上述全熔高效多晶硅鑄錠用籽晶的制備方法以及上述籽晶在多晶硅全熔高效鑄錠中的應用。與目前普遍使用的全熔籽晶相比,該籽晶直接鋪設于坩堝底部的氮化硅涂層之上,而非固定于坩堝底部和氮化硅涂層之間,因而可以從根本上避免粘堝風險;由于該籽晶無需控制引晶點間距,因而可實現更好的引晶效果,降低硅錠中位錯比例;由于使用SiC、SiO2復合材料作為籽晶,較石英顆粒籽晶,可顯著降低硅錠中下部的間隙氧含量。
聲明:
“全熔高效多晶硅鑄錠用籽晶及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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