本發明涉及一種Si3N4/SiC復合吸波陶瓷及其制備方法,屬于吸波透波陶瓷復合材料制備技術領域,該復合吸波陶瓷物相組成為Si3N4、SiC和石墨烯;所述Si3N4、SiC和石墨烯的質量比為95:5:0?0.3。本發明采用石墨烯對Si3N4/SiC復合吸波陶瓷進行改性,得到了性能優良的Si3N4/SiC復合吸波陶瓷材料;本發明相較于其他燒結工藝制備的Si3N4/SiC復合吸波陶瓷的過程中,原材料之間沒有發生任何反應;通過嚴格控制原料配比及燒結制備條件,避免了石墨烯的石墨化。
聲明:
“Si3N4/SiC復合吸波陶瓷及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)