本發明提供了一種g?C3N4/H?TiO2基納米管陣列及其制備方法,屬于納米復合材料技術領域。具體制備方法的步驟為:在含鈦金屬基體上,通過陽極氧化法制備納米管有序陣列;對所制備的納米管有序陣列進行晶化和表面氫化處理,得到H?TiO2基納米管陣列;對所制備的H?TiO2基納米管陣列與g?C3N4復合,制備得到g?C3N4/H?TiO2基納米管陣列。該有序納米管陣列復合材料應用廣泛,如可作為光電極來使用,通過充分發揮納米管有序陣列的優勢,在不明顯改變其形貌結構的同時實現多元改性,顯著拓展太陽光響應范圍,明顯提高其光電轉換效率,為高性能光電極的設計、開發和應用提供支持。
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