本發明涉及形成柔性應力消除緩沖區的半導體器件和方法。半導體器件具有在指定用于凸點形成的位置處安裝到暫時襯底的應力消除緩沖區。應力消除緩沖區可以是多層復合材料,諸如第一柔性層、在所述第一柔性層上形成的硅層以及在所述硅層上形成的第二柔性層。半導體管芯也安裝到暫時襯底。應力消除緩沖區可以比半導體管芯薄。在半導體管芯和應力消除緩沖區之間沉積密封劑。去除暫時襯底。在半導體管芯、密封劑和應力消除緩沖區上形成互連結構?;ミB結構電連接到半導體管芯??梢栽趹ο彌_區和密封劑上形成增強板層??梢栽趹ο彌_區內形成包含有源器件、無源器件、導電層和介電層的電路層。
聲明:
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