本發明公開了一種復合熱釋電材料及其制備方法與制備硅基厚膜的方法,材料為聚偏二氟乙烯與Pb1+x(Sc0.5Ta0.5)O3納米陶瓷粉體的復合材料,0.05≤x≤0.1,其中納米陶瓷粉體的體積分數為30~70%。復合熱釋電材料的制備方法及其硅基厚膜的方法包括:①配制鈧鉭酸鉛先驅體溶膠,并利用溶膠制備鈧鉭酸鉛納米粉;②體制備PVDF溶液并制備鈧鉭酸鉛PVDF復合漿料;③硅基片預處理后沉積隔熱層和底電極;④旋涂沉積復合熱釋電厚膜;⑤沉積上電極后極化。本發明材料兼有有機和無機熱釋電材料的優點,介電常數小,熱導率低,電壓響應優值很高;成膜溫度極低,適合于半導體集成工藝;復合熱釋電厚膜厚度在5~20μm可以控制,成膜效率較高。
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