本發明公開了一種碳包覆硅?錫復合負極片的制備方法。包括以下幾個步驟:(1)將硅粉、錫粉與人造石墨粉A進行機械高能球磨,制得硅?錫復合粉;(2)將硅?錫復合粉與人造石墨粉B進行混合,制得硅?錫復合粉基體;(3)利用化學氣相沉積方法對硅?錫復合粉基體進行碳包覆,制得碳包覆硅?錫復合材料;(4)將碳包覆硅?錫復合材料、粘結劑與導電劑進行混合,制得碳包覆硅?錫復合漿料;(5)將碳包覆硅?錫復合漿料在銅箔上進行單面涂布,制得碳包覆硅?錫復合負極片。本發明具有體積穩定、能量密度大、導電性好、循環穩定以及使用壽命長的特點。
聲明:
“碳包覆硅?錫復合負極片的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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