本發明公開了一種抗靜電復合納米材料薄膜及其制備方法。首先利用改進Hummers法制備氧化石墨烯納米帶,用KH550進行改性得到K?GONRs,再用水合肼還原,制得FGNRs;然后FGNRs與CNFs在超聲狀態下共混,形成納米復合材料,最后以TPU樹脂為基體,采用溶液涂覆成膜工藝制得FGNRs?CNFs/TPU復合薄膜。本發明中FGNRs附著在骨架CNFs上形成穩定的FGNRs?CNFs網絡結構,這有利于其在TPU中均勻分散。FGNRs?CNFs插層與TPU基體間的緊密結合使得復合材料薄膜具有優異的抗靜電性能和阻隔性能,可以應用在日益發達的電子精密材料上面,具有廣泛的應用前景。
聲明:
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