本發明公開了一種原位生長TiC納米管的方法,屬于復合材料技術領域。包括以下步驟:制備碳納米管;在所述碳納米管表面采用原子層沉積的方式生長Ti或TiO2;進行真空高溫燒結,生成TiC納米管。采用原子層沉積Ti/TiO2的方式,不僅保留碳納米管陣列原本的形貌結構,可以有效實現對碳納米管陣列的均勻包覆,從而規避了其他傳統沉積方式的弊端,而且沉積Ti/TiO2的前驅體源很豐富,選擇性更高。原位生長TiC納米管不僅有利于充分發揮碳納米管陣列結構的特性,而且可以充分發揮TiC的電學和機械性能,拓寬了TiC納米管在器件中的應用。
聲明:
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