一種大功率晶體管的制造方法,屬于半導體器件的制造工藝。本發明采用AlN、AlN加液晶高分子復合材料或莫來石等作為絕緣導熱材料,雙面金屬化后又涂鍍易焊金屬,同時將晶體管管基上局部涂鍍易焊金屬,提高絕緣導熱瓷片與金屬管基和芯片間的有效浸潤面積,減小了焊接空洞。本發明將絕緣導熱片的上表面與芯片下電極連通的部分用拱形橫擔連接線與引出線連接起來。本發明提供了一種大功率晶體管的制造方法,適用于普通晶體管,選極晶體管的制作。
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“大功率晶體管的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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