本發明涉及納米復合材料合成技術領域,針對金屬納米片構筑步驟繁瑣、制備周期長的問題,提供一種金屬納米片的制備方法,先在硅襯底上自組裝出密排的PS膠體球陣列,得到有序PS膠體球陣列模板;再在表面磁控濺射一層金屬膜,形成金屬納米帽子陣列(MFON);然后在表面繼續濺射氧化物薄膜,重復濺射金屬膜和氧化物薄膜0?9次得到納米柱[M/(XaOb)]n(n=1?10)多層膜結構;最后除去PS膠體球陣列進行退火處理,即得金屬納米片。本發明將PS膠體球模板和物理沉積技術相結合,步驟簡單、金屬消耗量少、重復性好,且制得的金屬納米片比表面積大。
聲明:
“金屬納米片的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)