本發明屬于復合材料制備技術領域,涉及鈷摻雜MoS2/NiS2多孔異質結構材料制備方法。本發明以導電碳布為功能基底,通過系列的水熱、煅燒、溶劑熱反應在活化后的碳布纖維上均勻生長NiS2納米片;以NiS2納米片的硫原子為“種子”,NiS2納米片2D結構為骨架,在NiS2納米片上同步生長MoS2納米片和進行鈷摻雜,得到鈷摻雜、MoS2納米微球包裹的NiS2多孔異質結構。本發明自下而上制備Co?MoS2/NiS2/CC,操作過程簡單可控,產物負載率高;催化劑由NiS2納米片支撐,生長在NiS2納米片上的Co摻雜MoS2納米片,2D的NiS2納米片具有高比表面積和導電性,能增強電子傳輸效率,提高催化劑的分散性,并加速水裂解步驟基本反應。本發明工藝簡單、條件相對溫和、催化劑得率高、生產成本低等優點,可大規模生產。
聲明:
“鈷摻雜MoS2/NiS2多孔異質結構材料制備方法及其應用于電催化析氫” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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