本發明涉及一種復合氧化物半導體材料的制備方法。包括以下步驟:1)將一定量的二水合氯化銅和鐵鹽溶解于溶劑中,攪拌得到混合溶液;2)將一定量的十二烷基苯磺酸鈉溶于溶劑中,攪拌溶解后緩慢滴加到步驟1)的混合溶液中;3)將一定量的氫氧化鈉溶解于溶劑中,將其緩慢滴到步驟2)的混合溶液中,得到前驅體溶液,然后置于密封不銹鋼高壓釜中,將反應釜放入恒溫烘箱中高溫反應一定時間;4)借用外加磁場取出反應釜中產物洗滌、干燥,獲得復合半導體材料。本發明的特點:采用一步溶劑熱法,方法簡單、成本低;復合材料有效避免了半導體光生電子與空穴的復合,提高了光催化降解效率;作為磁性材料,易于回收、重復利用。
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