本發明涉及一種HfxZr1?xC陶瓷固溶體納米線及制備方法,分別稱取不同質量的前驅體,按照不同摩爾比例進行配置。采用低壓化學氣相沉積(LPCVD)技術在碳/碳復合材料表面制備出HfxZr1?xC固溶體納米線。通過對混合前驅體粉料中各組分含量調控可實現對固溶體納米線中原子摩爾比進行調控,以及對LPCVD工藝參數的調控可對固溶體納米線的微觀結構進行有效的控制。本發明制備工藝簡單易操作,可對納米線形貌進行有效的控制,拓展其對在多種材料領域中的應用。
聲明:
“HfxZr1-xC陶瓷固溶體納米線及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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