本發明公開了一種抗總劑量輻照的電源管理芯片及其制造方法,屬于特種功能涂層制備技術領域。本發明解決了現有高Z重金屬材料與低Z材料在混合的過程中彼此相對分散的均勻性較差,導致相應的復合材料的屏蔽效果無法達到預期的應用效果的問題。本發明利用原子層沉積技術在高Z重金屬材料金屬表面沉積低Z金屬氧化物薄膜,具有沉積溫度低,厚度均勻可控的優點,利用其良好的三維保型性和包裹性性能,可有效改善涂覆膜層與基底間的界面結合強度,并采用超聲輔助熱噴涂工藝將稀釋液噴涂于電源管理芯片表面,有效提高涂層抗輻照性能的同時,實現電源管理芯片的空間抗輻射加固,為長壽命高可靠航天器的選材和設計提供技術支持。
聲明:
“抗總劑量輻照的電源管理芯片及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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