本發明公開了一種CsPW11Fe/Si異質結復合光電材料及其制備方法,CsPW11Fe納米粒子有序生長于Si基底表面刻蝕出的孔洞中,呈現出“乳突”狀排列;CsPW11Fe納米顆粒尺寸為95~105nm,Si基底表面刻蝕出的孔洞尺寸為1~3μm。通過CsPW11Fe與Si之間的電子轉移增強光生載流子的分離效率,從而提高光電轉換效率。本發明能高效利用太陽光能實現光電轉換,與其它方法相比,技術先進,節能低耗,且性質穩定。在可見光照射下CsPW11Fe/Si復合材料的入射單色光子?電子轉換效率達到了54.1%,明顯高于純硅(~10%)。
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