本發明涉及一種電子封裝結構的聲阻抗表述方法,可用于微電子和復合材料檢測領域。本發明的聲阻抗表述方法通過對超聲A掃描信號進行處理分析,得到該點入射方向上各層介質的聲阻抗;然后以C掃描的方式在平面內移動探頭,從而獲取電子封裝內部各點的聲阻抗信息;把各點的聲阻抗信息存儲在矩陣中,并用將其進行三維成像,從而表征出電子封裝的內部結構。
聲明:
“電子封裝結構的聲阻抗表述方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)