本發明提供一種“后半導體工藝”集成電路器件及MEMS器件的整體制備方法,用這些制備方法可以實現的結構,以及用這些結構組合成的集成MEMS器件。根據本發明的方法,在完成半導體工藝的半導體基片上生成某些低溫工藝(這里指低于400℃的工藝)制作的膜,此膜與半導體基片上固有的多晶柵導電層共同構成復合膜。接下來,在此膜上再次生成某些低溫工藝制作的膜,來做為犧牲膜;在犧牲膜上再次生成某些低溫工藝制作的單材料或者復合材料的膜,來做為MEMS器件的另外一層結構層;最后此器件可以用干法刻蝕、濕法腐蝕或者干法刻蝕和濕法腐蝕的組合去掉犧牲膜,釋放形成最終的MEMS器件。
聲明:
“多晶柵導電層構成的集成微機電系統器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)