本發明公開了一種具有石墨烯電極的GaN基半導體器件,由襯底、緩沖層、N型半導體層、有源層、P型半導體層、石墨烯薄膜層和金屬電極結合形成,P型半導體層為含GaN的復合材料層,石墨烯薄膜層設有貫穿的孔道,使金屬電極穿過石墨烯薄膜層與P型半導體層固定連接,形成石墨烯薄膜層的焊盤,使石墨烯薄膜層固定結合在P型半導體層上,形成復合電極。本發明采用MO源作為催化劑與碳源的前驅體,在現有GaN外延工藝及設備的情況下實現了低溫石墨烯電極的自生長,并可通過對金屬圖形的控制,進一步改善電流分布,提高了器件的出光與散熱性能。
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