本發明涉及光催化領域,具體涉及一種二氧化鈦量子點表面暴露的晶面結構的調控工藝及其與二維材料構建的復合光催化劑。本發明具體公開了本發明提供二氧化鈦量子點表面暴露的晶面結構的調控工藝,二氧化鈦量子點的尺寸在5?20nm,通過控制添加無水乙醇和去離子水混合溶液的劑量,可以調控量子點表面暴露的晶面結構為{001}或{101}晶面,方法簡單,不含氟離子,環境友好。本發明在制備出的二氧化鈦量子點表面引入更多的氧空位,改善二氧化鈦復合材料的界面性質,利用表面氧空位缺陷為相互作用媒介與二維材料復合,制備出具備高光催化活性的零維?二維復合光催化劑。
聲明:
“二氧化鈦量子點表面暴露的晶面結構的調控工藝及其與二維材料構建的復合光催化劑” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)